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成都半导体膜厚仪
成都半导体显微膜厚仪 HSR-M

分类:半导体膜厚仪 发布时间:2024-09-25 2665次浏览

本设备利用反射干涉的原理进行无损测量,测量吸收或者透明衬底上薄膜的厚度以及折射率,同时提供样品反射率,测量精度达到埃级的分辨率,测量迅速,操作简单,界面友好,搭配显微成像系统,配置兼容六寸的手动样品台,可对待测样品表面的某些微小限定区域进行测量测量。

成都半导体显微膜厚仪 HSR-M

本设备利用反射干涉的原理进行无损测量,测量吸收或者透明衬底上薄膜的厚度以及折射率,同时提供样品反射率,测量精度达到埃级的分辨率,测量迅速,操作简单,界面友好,搭配显微成像系统,配置兼容六寸的手动样品台,可对待测样品表面的某些微小限定区域进行测量测量。

产品详情

设备精度高达 1 埃,测量稳定性高达 0.02nm,测量时间只需一到二秒。可应用于光阻、半导体材料、高分子材料等薄膜层的厚度测量,在半导体、太阳能、液晶面板和光学行业以及科研院所和高校都得到了广泛的应用和极大的好评。


测量系统规格


1、膜厚测头指标:

1) 基本功能:获取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光谱

2) *光谱范围:380-900nm

3) 光谱分辨率:小于 1nm(波长间隔)

4) 物镜标准倍率切换规格:5×、10×、20×、50×(光纤孔径:200um)

5) 光斑大小:4um(50X 物镜)、10um(20X 物镜)、20um(10X 物镜)、40um(5X 物镜)可选(根据配置的物镜切换光斑大小)

6) *膜厚量测范围与倍率关系:20nm-50μm(5X)

20nm~40μm(10X)

20nm~20μm(20X)

20nm~10μm(50X)

7) 测量精度:0.2%和 1nm 较大者(不同倍率一致);

8) 配置 CCD 镜头,可定位识别待测区域

9) *重复性精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 样件,100 次重复测量)

10) *厚度拟合算法:至少拥有 Exact,Robust 和 FFT 三种厚度拟合算法

11) 测量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上

12) 单点测量时间:≤1 秒

13) 光源:钨卤灯(2000 小时寿命)

14) 基板尺寸:更大支持样件尺寸到 150*150mm 


半导体显微膜厚仪 HSR-M.png


2、样品台规格:

1) 可测晶圆大小:4 寸&6 寸

2) 载物台移动范围:不小于 150mm☓ 150mm

3) 手动放片,测量点数跟位置在 Recipe 中可根据需要编辑


3、测控与分析软件

1) 光谱测量能力:反射率光谱测量

2) 数据分析能力:膜厚分析能力,光学常数(折射率和消光系数)

3) 分析软件:拥有不小于 100 种不同材料的数据库,可自由导入新材料文件;

可进行不同镀膜材料的建模,模拟镀膜膜系的反射率曲线;软件界面人性化

设计,测试数据能够方便的储存和导出;免费提供针对不同材质测试的 Recipe

程式,并可以新增新材质的 recipe;具有膜厚自校准标定功能,配备相应标

准器;至少 5 个软件授权许可 License 支持用户自定义,软件不限制拷贝数量,

支持 windows 10 操作系统


4、测控与分析计算机

1) 操作系统:WIN10 64 位

2) CPU 处理器:Intel 酷睿处理器

3) 内存:≥4G

4) 硬盘:≥500G

5) 显示器:≥19 寸


5、配件

1) 标准 SiO2/Si 标样

2) 标准安装工具一套


6、环境与能源要求

1) 使用温度范围:0 ºC - 40 ºC

2) 相对湿度:35% ~ 60% RH

3) 空气压力范围:750~1014 mbar

4) 供电电源电压:220V AC

5) 正常频率范围:49-51Hz

6) 相电流:有效值小于 1A(220V AC)


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